Zur Übersicht Elektronische Struktur von Halbleitergrenzflächen
Die Arbeitsgruppe betreibt das "integrierte System" (IS), an dem das Grenzflächenverhalten von Halbleitern mit modernen oberflächensensitiven Analysemethoden wie Photoelektronenspektroskopie (UPS, XPS), Niederenergetische Elektronenbeugung (LEED) und Tunnelmikroskopie (STM) in situ untersucht werden kann. Hierzu sind mehrere UHV-Analyse-, Präparations- und MB-Epitaxiekammern miteinander gekoppelt, so dass dünne Filme verschiedener Materialien (Oxide (TCOs), Chalkopyrite (CIS), Schichtgitter (TMDCs)) schrittweise auf unterschiedliche Substrate aufgebracht und dann direkt unter UHV-Bedingungen (in situ) charakterisiert werden können. Außerdem betreibt die Arbeitsgruppe die TGM-7-Beamline an der Berliner Synchrotron-Strahlungsquelle BESSY.
