Institut Silizium-Photovoltaik

Electron Beam-Induced Current (EBIC)

• dient zum Identifizieren von Defekten in Halbleitern
• der Elektronenstrahl induziert einen Strom in der Probe
• dieser Strom wird verstärkt und zur Bildgebung genutzt
• Defekte führen zur Rekombination von Ladungsträgern – der Bereich erscheint dunkel
• Messungen mit einer Erweiterung der Firma „point electronic“ möglich
• die Proben müssen kontaktierbar sein

EBIC-Aufnahme einer rekristallisierten Si-Oberfläche in 5000-facher Vergrößerung:

Korngrenzen als besonders gestörte Kristallbereiche erscheinen dunkel